SXJS-IV抗干擾介質損耗測試儀工作原理：
儀器測量線路包括一路標準回路和一路測試回路，如圖三所示。
標準回路由內置高壓穩定度標準電容器與標準電阻網絡組成，由計算機實時采集標準回路電流與測試回路的電流幅值及其相位差，并算出被測試品電容容值（CX）和介質損耗（tgδ）。

關鍵詞：SXJS-IV抗干擾介質損耗測試儀，抗干擾介質損耗測試儀，介質損耗測試儀
數據采集電路全部采用高壓穩定器件，采集板和采集計算機被鐵盒*浮空屏蔽，儀器外殼接地屏蔽；
SXJS-IV抗干擾介質損耗測試儀使用方法：
★★★安全操作注意事項
1、使用時必須將儀器接地端子可靠接地。
2、只有關閉儀器電源，試驗電壓選擇開關置于“關”位置時，接觸儀器的后部及其測量線纜與被試品才被認為是安全的。
3、儀器在測試過程中，嚴禁操作“試驗電壓”選擇開關。
4、★正接線法UH端為高電壓，反接線法IX端為高電壓，使用時必須根據實際情況，將帶高壓的線纜與地保持足夠的距離，使用我公司提供的特種絕緣電纜測量大容量試品可以拖地使用。
5、不得更換不符合面板指示值的保險絲管。
6、使用時盡可能用廠家隨儀器提供的線纜以確保測量準確度。
7、操作鍵盤
備用------不用。
快測-------快速測量，無抗干擾功能。
抗擾-------抗干擾測量。
正接-------正接法測量。
打印-------在測試結果出來后，打印測試數據。
反接-------反接法測量。
起動-------起動高壓，開始測量。
外接-------外接法測量。也用來選擇外接標準電容的容量。
停止-------可以在測試過程中，中斷測量。
打開電源，儀器首先自檢
（顯示屏、光電通訊、內存、操作鍵、數模轉換、電網頻率），自檢通過后，進入主目錄。這時按屏幕提示即可完成測試。
進入測量狀態后，用戶隨時可用“停止”鍵退出測量狀態。
做正、反接測量時無須人工，測試線的接法與儀器操作測量方式相符，如使用正接法的接線方式，測試時，按“反接”鍵測量，也能得出結果，但該結果不真實可靠。
做外接方式測量時，中途會顯示“請關閉外接高壓！”并停一下，等候人工將外加高壓關閉，關閉外高壓后（必須關閉外高壓），再按一次“起動”，鍵才能完成測試。
如果外高壓未關閉，則測試結果不真實。
外接標準電容的容量選擇：
“外接方式”時，按一次“外接”鍵，則顯示的外接標準電容容量“XXXXpF”將改變，共八種容量供選擇（zui后一種為廠家調試用，用戶使用則無效）。
50pF,100pF,150pF,200pF,500pF,1000pf,XXXpF,XXXpF.
應選擇與外接標準電容相等的容量。如果使用的外接電容量特殊，可請生產廠家將該電容容量輸入儀器中。如果選擇的外接電容與實際不相等，則測量結果會受影響。
正接線法：（接線如圖四所示）
通電前，先將“試驗電壓”開關置于“關”位置。將UH端子用線纜的大鐵夾（有UH標記），接至被試品高壓端，將IX端子用另一根線纜的芯線線頭（紅色，有CX標記），接被試品CX低壓端，它的屏蔽線頭（黑色，有E標記）接地，如果試品低壓端有屏蔽端子，可用導線將該端子與“E”連接后接地。
通電后，按“正接”鍵。選好的正接線方式：用“試驗電壓”開關選好電壓：然后按“起動”鍵開始測試。
反接線法（接線如圖五所示）
通電前，先將“試驗電壓”開關置于“關”位置，將UH端子接地，將IX的芯線（有CX標記）接至被試品CX的高壓端。
通電后，按“反接”鍵， 選好反接線方式：用“試驗電壓”開關選好電壓，然后按“起動”鍵開始測試。
SXJS-IV抗干擾介質損耗測試儀特別注意：屏蔽“E”與IX電位接近，可接至被試品高壓端的屏蔽或者懸空，不能接地！！！否則，儀器內部高壓器變壓器輸出端短路。
外接高壓法：接線如圖六所示
CB為外接標準電容，CX為被試品。
當被試品要求試驗電壓大于10KV時或試品容量大于60000pF時，可以外接高壓進行測量，即不使用儀器內部高壓器，而外接一臺高壓裝置進行測量。
注意：外接高壓法進行測量時，“試驗電壓”開關置于“關”位置！調整好外接電壓，然后“起動”鍵開始測試。
通電后多接“外接”鍵，選好外接方式 以及外接的標準電容容量，必須再將“試驗電壓”開關置于“關”位置！調整好外接電壓，然后“起動”鍵開始測試。

SXJS-IV抗干擾介質損耗測試儀技術指標： 
1、環境：-5℃～40℃（液晶屏應避免長時間日照） 
2、相對濕度：30%～70% 
3、供電電源：電壓：220V±10%，頻率50±1Hz 
4、外形尺寸：長*寬*高=500mm*300mm*400mm 
5、重量：28kg 
6、輸出功率：1.5KVA 
7、顯示分辨率：3位、4位（內部全是6位） 
8、測試方法：正接法、反接法、外接試驗電壓法
9、測量范圍：內接試驗電壓：≤60000PF（10KV電壓大于30000PF）
外接試驗電壓：由外接試驗變壓器輸出功率而定 
10、基本測量誤差： 
介質損耗（tgδ）：1%±0.04% 
電容容量（Cx）：1%±1pF